FQB7N60TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 3.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQB7N60TM-ND FQB7N60TMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 28 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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