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FQD3N50CTM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 2.5A (Tc) 35W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQD3N25T FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2685
FQD3N25TM FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2495
FQD3N30 FAI Spezialisierte heiße ICs 2688
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FQD3N30TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 35000
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FQD3N50CTM Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQD3N50CTM Referenzpreis. FQD3N50CTM Parameter, FQD3N50CTM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQD3N50CTM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQD3N50CTM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQD3N50CTM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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