FQD3N60CTM-WS Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQD3N60CTM-WS-ND FQD3N60CTM-WSTR FQD3N60CTM_WS FQD3N60CTM_WS-ND FQD3N60CTM_WSTR FQD3N60CTM_WSTR-ND FQD3N60CTMWS
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 565pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 2.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
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