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HGTG18N120BN Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 54A 390W TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 18A, 3 Ohm, 15V
Switching Energy 800µJ (on), 1.8mJ (off)
Power - Max 390W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 54A 390W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 54A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 18A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/170ns
Supplier Device Package TO-247
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 165nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 165A
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HGTG18N120BN Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, HGTG18N120BN Referenzpreis. HGTG18N120BN Parameter, HGTG18N120BN Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HGTG18N120BN Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HGTG18N120BN Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HGTG18N120BN Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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