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KSD2058YTSTU Technische Spezifikationen

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.5W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 400kHz 1.5W Through Hole TO-220F
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-220F
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 400kHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSD2012-G KEC Spezialisierte heiße ICs 20
KSD2012G FSC Spezialisierte heiße ICs 2689
KSD2012GTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3082
KSD2012GTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2282
KSD2012GTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD2012Y FSC Spezialisierte heiße ICs 6
KSD2012YTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSD2012YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2722
KSD2012YTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD2012YYDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2546

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