MJ11032 Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 300W
Package / Case TO-204AE
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 25A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 3.5V @ 500mA, 50A
Supplier Device Package TO-3
Packaging Tray
Operating Temperature -55°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJ1100FE-R52 Ohmite Durchsteckwiderstände 2706
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MJ11012G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2573
MJ11012G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJ11013 MOT Spezialisierte ICs 1200
MJ11014 ON Spezialisierte heiße ICs 1322
MJ11015 MOT Spezialisierte heiße ICs 14640
MJ11015G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 567
MJ11015G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJ11016 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5418

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