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MJD200G Technische Spezifikationen

TRANS NPN 25V 5A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.4W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Supplier Device Package DPAK-3
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 65MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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MJD200 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 310
MJD200 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD200 MOS MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 5991
MJD200G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD200RL MOT Spezialisierte heiße ICs 20871
MJD200RLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 20000
MJD200RLG ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD200T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1793
MJD200T4 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD200T4 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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