MJD200G Technische Spezifikationen

MJD200G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 2 Weeks
Contact Plating Tin
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins 3
Operating Temperature -65°C~150°C TJ
Published 2006
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 25V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 5A
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Pin Count 3
Number of Elements 1
Power Dissipation 1.4W
Transistor Application AMPLIFIER
Polarity/Channel Type NPN
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 45 @ 2A 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.8V @ 1A, 5A
Transition Frequency 65MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 40V
hFE Min 70
Length 6.73mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 2
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1.4W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Frequency 65MHz
Base Part Number MJD200
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Element Configuration Single
Case Connection COLLECTOR
Gain Bandwidth Product 65MHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 25V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8V
Emitter Base Voltage (VEBO) 8V
Height 2.38mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MJD200 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 310
MJD200 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD200 MOS MOTOROLA Spezialisierte heiße ICs 5991
MJD200G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 397
MJD200RL MOT Spezialisierte heiße ICs 20871
MJD200RLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 20000
MJD200RLG ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD200T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 1793
MJD200T4 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
MJD200T4 Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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