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NST856BF3T5G Technische Spezifikationen
TRANS PNP 65V 0.1A SOT-1123
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 290mW |
Package / Case | SOT-1123 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 220 @ 2mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 5mA, 100mA |
Supplier Device Package | SOT-1123 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'NST85'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
NST856BF3T5G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
NST857BDP6T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2535 |
NST857BDP6T5G | ON Semiconductor | Arrays BJT-Transistoren | |
NST857BF3T5G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2714 |
NST857BF3T5G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren |
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NST856BF3T5G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NST856BF3T5G Referenzpreis. NST856BF3T5G Parameter, NST856BF3T5G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NST856BF3T5G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NST856BF3T5G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NST856BF3T5G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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