NST857BDP6T5G Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Arrays BJT-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Max Power Dissipation 420mW
Frequency 100MHz
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Power - Max 350mW
Gain Bandwidth Product 100MHz
Collector Emitter Voltage (VCEO) 45V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 220 @ 2mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 700mV @ 5mA, 100mA
Transition Frequency 100MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 50V
Height 400μm
Width 850μm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case SOT-963
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Form FLAT
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 420mW
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 15nA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 45V
Collector Emitter Saturation Voltage -300mV
Emitter Base Voltage (VEBO) 6V
Length 1.05mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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NST856BF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2596
NST856BF3T5G ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
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