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NTD5C434NT4G Technische Spezifikationen

T6 40V SL IN DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names NTD5C434NT4GOSCT
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 5 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 40V 33A (Ta), 160A (Tc) 4.7W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount DPAK
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Power Dissipation (Max) 4.7W (Ta), 120W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status Lead free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Ta), 160A (Tc)
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