NTD5C434NT4G Technische Spezifikationen

T6 40V SL IN DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 6 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
JESD-609 Code e3
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Ta 160A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging Tape & Reel (TR)
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Finish Tin (Sn)
Power Dissipation-Max 4.7W Ta 120W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80.6nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status RoHS Compliant
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NTD5C434NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2610
NTD5C446NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2589
NTD5C446NT4G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTD5C464NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2696
NTD5C648NLT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2782
NTD5C648NLT4G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTD5C668NLT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2732
NTD5C668NLT4G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
NTD5C688NLT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2772
NTD5C688NLT4G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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