NTHD5904NT3G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 2.5A CHIPFET

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package ChipFET™
Power Dissipation (Max) 640mW (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 465pF @ 16V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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NTHD5902 O Spezialisierte heiße ICs 10000
NTHD5902T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 30000
NTHD5902T1 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTHD5902T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 30440
NTHD5903 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 48
NTHD5903T1 ON Spezialisierte heiße ICs 96000
NTHD5903T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 7800
NTHD5903T1G Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTHD5903T1G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTHD5904N O Spezialisierte heiße ICs 3000

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