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NTLJD3115PT1G Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 531pF @ 10V
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Power - Max 710mW
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTLJD2104PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2694
NTLJD2104PTAG Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2104PTAG ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2104PTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2676
NTLJD2104PTBG ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2104PTBG Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2105LTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3486
NTLJD2105LTBG ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2105LTBG Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD3115PT ON Spezialisierte heiße ICs 759

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NTLJD3115PT1G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, NTLJD3115PT1G Referenzpreis. NTLJD3115PT1G Parameter, NTLJD3115PT1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden NTLJD3115PT1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden NTLJD3115PT1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, NTLJD3115PT1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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