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NTLJD2104PTBG Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Element Configuration Dual
Power - Max 700mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 467pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Input Capacitance 467pF
Drain to Source Resistance 90mOhm
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 700mW
Power Dissipation 2.3W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A
Rise Time 12.3ns
Fall Time (Typ) 16.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.4A
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 90 mΩ
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTLJD2104PTAG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2694
NTLJD2104PTAG Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2104PTAG ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2104PTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2676
NTLJD2104PTBG Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTLJD2105LTBG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3486
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