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NTMD6N02R2G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 16V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOIC
Power - Max 730mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.92A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTMD6601NR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3104
NTMD6601NR2G Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTMD6601NR2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMD6M02R2 ON Spezialisierte heiße ICs 2508
NTMD6N02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2532
NTMD6N02DR2G ON Spezialisierte heiße ICs 43921
NTMD6N02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2615
NTMD6N02R2 ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMD6N02R2 Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTMD6N02R2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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