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NTMD6N02R2 Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Form GULL WING
Reach Compliance Code not_compliant
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Pin Count 8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35m Ω @ 6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 16V
Rise Time 35ns
Turn-Off Delay Time 45 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 360 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e0
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Subcategory FET General Purpose Power
Max Power Dissipation 730mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 240
Current Rating 6A
Base Part Number NTMD6N02
Qualification Status Not Qualified
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Fall Time (Typ) 80 ns
Continuous Drain Current (ID) 3.92A
Drain-source On Resistance-Max 0.035Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NTMD6601NR2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 3104
NTMD6601NR2G Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTMD6601NR2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NTMD6M02R2 ON Spezialisierte heiße ICs 2508
NTMD6N02 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2532
NTMD6N02DR2G ON Spezialisierte heiße ICs 43921
NTMD6N02R2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2615
NTMD6N02R2 Rochester Electronics, LLC MOSFETs Transistor Arrays
NTMD6N02R2G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 7223
NTMD6N02R2G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays

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