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NTMS5P02R2SG Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package 8-SOIC
Power Dissipation (Max) 790mW (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 4.5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.95A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 16V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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