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NVD5C486NT4G Technische Spezifikationen

T6 40V DPAK EXPANSION AND

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 20µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 18.3W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 17 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 40V 9.2A (Ta), 23A (Tc) 2.9W (Ta), 18.3W (Tc) Surface Mount DPAK
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.9 mOhm @ 10A, 10V
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status Lead free
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Ta), 23A (Tc)
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