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NVMFD5877NLT1G Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39 mOhm @ 7.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
Power - Max 3.2W
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
NVMFD030N06CT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 381
NVMFD5483NLT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 9837
NVMFD5483NLT1G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NVMFD5483NLT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2684
NVMFD5483NLT3G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NVMFD5483NLWFT1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2626
NVMFD5483NLWFT1G ON Semiconductor MOSFETs Transistor Arrays
NVMFD5483NLWFT3G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2730
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