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SMUN5113DW1T1G Technische Spezifikationen

TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 187mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
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SMUN5113DW1T1G Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, SMUN5113DW1T1G Referenzpreis. SMUN5113DW1T1G Parameter, SMUN5113DW1T1G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SMUN5113DW1T1G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SMUN5113DW1T1G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SMUN5113DW1T1G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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