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SMUN5113DW1T1G Technische Spezifikationen

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / BJT-Transistor-Arrays
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Form GULL WING
Pin Count 6
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Halogen Free Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300μA, 10mA
Max Breakdown Voltage 50V
Resistor - Base (R1) 47k Ω
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
Max Power Dissipation 187mW
Base Part Number MUN51**DW1T
Reference Standard AEC-Q101
Polarity PNP
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
hFE Min 80
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
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SMUN5111DW1T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays 2528
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SMUN5111T1G ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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SMUN5112DW1T1G ON Semiconductor BJT-Transistor-Arrays
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