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TIP35C Technische Spezifikationen

TRANS NPN 100V 25A TO218AC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 125W
Package / Case TO-218-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 15A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 25A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 5A, 25A
Supplier Device Package SOT-93
Packaging Tube
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
TIP35-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2697
TIP35-S Bourns Inc. Einzelne BJT-Transistoren
TIP35A Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2539
TIP35A Central Semiconductor Corp Einzelne BJT-Transistoren
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TIP35A-S Bourns, Inc. Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2693
TIP35A-S Bourns Inc. Einzelne BJT-Transistoren
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TIP35AG ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
TIP35B Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3100

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