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TIP35C Technische Spezifikationen
TRANS GENERAL PURPOSE TO-218
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | Central Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 125W |
Package / Case | TO-218-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 15A, 4V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 25A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | - |
Supplier Device Package | TO-218 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 3MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
TIP35C Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für TIP35C
-
Datenblätter
1.TIP35C.pdf 2.TIP35C.pdf
Andere schließen ein "TIP35" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'TIP35'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
TIP35-S | Bourns, Inc. | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2697 |
TIP35-S | Bourns Inc. | Einzelne BJT-Transistoren | |
TIP35A | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2539 |
TIP35A | Central Semiconductor Corp | Einzelne BJT-Transistoren | |
TIP35A | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
TIP35A-S | Bourns, Inc. | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2693 |
TIP35A-S | Bourns Inc. | Einzelne BJT-Transistoren | |
TIP35AG | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2722 |
TIP35AG | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
TIP35B | Central Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 3100 |
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