C2M1000170J-TR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Cree Wolfspeed
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.1V @ 500µA (Typ)
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series C2M™
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 52 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Detailed Description N-Channel 1700V 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package D2PAK-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2A, 20V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
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C2M1000170D Cree Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2634
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C2M1000170J Cree Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2511
C2M1000170J Cree Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2668
C2M1000170J-TR Cree Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2592

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