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C2M1000170D Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Cree
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 100µA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Series Z-FET™
Power Dissipation (Max) 69W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V (1.7kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +25V, -10V
Supplier Device Package TO-247-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1 Ohm @ 2A, 20V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 191pF @ 1000V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
C2M1000170D Cree Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2649
C2M1000170J Cree Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2511
C2M1000170J Cree Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2668
C2M1000170J-TR Cree Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2592
C2M1000170J-TR Cree Wolfspeed Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 0

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