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DDTB122JC-7-F Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Diodes Incorporated
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Resistor - Base (R1) (Ohms) 220
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 47 @ 50mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DDTB113EC-7 DIODES Spezialisierte heiße ICs 2794
DDTB113EC-7-7 DIODES Spezialisierte heiße ICs 3000
DDTB113EC-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 9254
DDTB113EU-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12000
DDTB113ZC-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2473
DDTB113ZU-7-F Diodes Incorporated Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 3463
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DDTB114EC-7-F IC Diodes Incorporated Spezialisierte heiße ICs 12420
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DDTB122JC-7-F Markenhersteller: Diodes Incorporated, Bonchip Aktie, DDTB122JC-7-F Referenzpreis. DDTB122JC-7-F Parameter, DDTB122JC-7-F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DDTB122JC-7-F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DDTB122JC-7-F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DDTB122JC-7-F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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