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EPC2100ENGRT Technische Spezifikationen

MOSFET ARRAY 2N-CH 30V DIE

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 15V, 15nC @ 15V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tj), 38A (Tj)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 25A, 5V, 2 mOhm @ 25A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 15V, 1700pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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