EPC2101ENGRT Technische Spezifikationen

TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer EPC
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 2mA
Series eGaN®
Power - Max -
Package / Case Die
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 5V
FET Feature GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A, 38A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package Die
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 20A, 5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 30V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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