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IRF610 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRF610
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF610 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2497
IRF610* IR Spezialisierte heiße ICs 2526
IRF6100 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 72211
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IRF610L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2616

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