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IRF610 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 36W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF610 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 71146
IRF610* IR Spezialisierte heiße ICs 2526
IRF6100 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 72211
IRF6100 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 12272
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IRF610L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2616

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