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SIA416DJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SC-70-6 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 100V 11.3A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-70-6 Single |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 83 mOhm @ 3.2A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIA416DJ-T1-GE3TR SIA416DJT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.3A (Tc) |
SIA416DJ-T1-GE3 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'SIA41'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIA411DJ-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2925 |
SIA411DJ-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 986 |
SIA411DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3509 |
SIA411DJ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3509 |
SIA413ADJ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 61260 |
SIA413DJ-T1-E3 | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 30 |
SIA413DJ-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 10248 |
SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 12365 |
SIA413DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SIA413DJ-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 1205 |
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SIA416DJ-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIA416DJ-T1-GE3 Referenzpreis. SIA416DJ-T1-GE3 Parameter, SIA416DJ-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIA416DJ-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIA416DJ-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIA416DJ-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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