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SIA477EDJT-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max) 19W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3050pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 12V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 5A, 4.5V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names SIA477EDJT-T1-GE3CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SiA471DJ Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 1304
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 4040
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SIA477EDJT-T1-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIA477EDJT-T1-GE3 Referenzpreis. SIA477EDJT-T1-GE3 Parameter, SIA477EDJT-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIA477EDJT-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIA477EDJT-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIA477EDJT-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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