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SIA477EDJ-T1-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® SC-70-6 Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2970pF @ 6V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) -
Package / Case PowerPAK® SC-70-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
SiA471DJ Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 1304
SIA471DJ-T1-GE3 Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 4040
SIA472EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2786
SIA477EDJ-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2641
SIA477EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
SIA477EDJT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2976
SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 890

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SIA477EDJ-T1-GE3 Markenhersteller: Vishay / Siliconix, Bonchip Aktie, SIA477EDJ-T1-GE3 Referenzpreis. SIA477EDJ-T1-GE3 Parameter, SIA477EDJ-T1-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIA477EDJ-T1-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIA477EDJ-T1-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIA477EDJ-T1-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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