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SIHB25N50E-GE3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 26A TO263

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 145 mOhm @ 12A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1980pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 26A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-263 (D²Pak)
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A (Tc)
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SIHB25N50E-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHB25N50E-GE3 Referenzpreis. SIHB25N50E-GE3 Parameter, SIHB25N50E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHB25N50E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHB25N50E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHB25N50E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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