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SIHB20N50E-GE3 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 500V 19A TO-263
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 184 mOhm @ 10A, 10V |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 500V 19A (Tc) 179W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
Power Dissipation (Max) | 179W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
SIHB20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2663 |
SIHB20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2683 |
SIHB21N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 0 |
SIHB21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
SIHB21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2576 |
SIHB21N65EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2573 |
SIHB22N60AE-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2574 |
SIHB22N60AE-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2632 |
SIHB22N60AEL-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2512 |
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SIHB20N50E-GE3 Markenhersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay, Bonchip Aktie, SIHB20N50E-GE3 Referenzpreis. SIHB20N50E-GE3 Parameter, SIHB20N50E-GE3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SIHB20N50E-GE3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SIHB20N50E-GE3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SIHB20N50E-GE3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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