FDMS3669S Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 1W
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A, 18A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-PQFN (5x6), Power56
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 13A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1605pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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FDMS3006SDC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3171
FDMS3006SDC Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 24454
FDMS3006SDC ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDMS3006SDC MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 280
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FDMS3008SDC ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDMS3008SDC MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 24573
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FDMS3016DC AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2776

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