FDN302P Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package SuperSOT-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 882pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
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FDN301N AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 12791
FDN301N MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3426
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FDN301N-NL/301 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 30000
FDN302 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 6950
FDN302P AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 274500
FDN302P ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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