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FDN302P Technische Spezifikationen
FDN302P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Weight | 30mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Voltage - Rated DC | -20V |
Terminal Position | DUAL |
Current Rating | -2.4A |
Power Dissipation-Max | 500mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 13 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A Ta |
Rise Time | 11ns |
Vgs (Max) | ±12V |
Turn-Off Delay Time | 25 ns |
Threshold Voltage | -1V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -20V |
Nominal Vgs | -1 V |
Height | 940μm |
Width | 1.4mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Lifecycle Status | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | PowerTrench® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 55mOhm |
Subcategory | Other Transistors |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 500mW |
FET Type | P-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55m Ω @ 2.4A, 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 882pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 2.5V 4.5V |
Fall Time (Typ) | 11 ns |
Continuous Drain Current (ID) | -2.4A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 12V |
Dual Supply Voltage | -20V |
Min Breakdown Voltage | 20V |
Length | 2.92mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
FDN302P Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für FDN302P
-
Datenblätter
Andere schließen ein "FDN30" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'FDN30'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FDN301 | NEC | Spezialisierte heiße ICs | 18000 |
FDN301N | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 12791 |
FDN301N MOS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 3426 |
FDN301N-NL | FAIRCHI | Spezialisierte heiße ICs | 18766 |
FDN301N-NL/301 | FAIRCHILD | Spezialisierte heiße ICs | 30000 |
FDN302 | FAIRCHI | Spezialisierte heiße ICs | 6950 |
FDN302P | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 274500 |
FDN302P | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 360020 |
FDN302P IC | Fairchild/ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 516 |
FDN302P MOS | Fairchild/ON Semiconductor | Spezialisierte heiße ICs | 590 |
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