FDN302P Technische Spezifikationen

FDN302P datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Weight 30mg
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC -20V
Terminal Position DUAL
Current Rating -2.4A
Power Dissipation-Max 500mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 13 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A Ta
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Threshold Voltage -1V
Drain to Source Breakdown Voltage -20V
Nominal Vgs -1 V
Height 940μm
Width 1.4mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series PowerTrench®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 55mOhm
Subcategory Other Transistors
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 500mW
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55m Ω @ 2.4A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 882pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) -2.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Dual Supply Voltage -20V
Min Breakdown Voltage 20V
Length 2.92mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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FDN301 NEC Spezialisierte heiße ICs 18000
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