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FGA60N65SMD Technische Spezifikationen

IGBT 650V 120A 600W TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 60A, 3 Ohm, 15V
Switching Energy 1.54mJ (on), 450µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 47ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 189nC
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C 18ns/104ns
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 600W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FGA6060ADF FSC Spezialisierte heiße ICs 30
FGA6065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 307
FGA6065ADF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 665
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FGA60N60UFD G60N60UFD FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2760
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