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FGPF30N30TDTU Technische Spezifikationen

IGBT 300V 44.6W TO220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 300V
Test Condition 200V, 20A, 20 Ohm, 15V
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 22ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 65nC
Current - Collector (Ic) (Max) -
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 22ns/130ns
Supplier Device Package TO-220F
Power - Max 44.6W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FGPF30N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 9800
FGPF30N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2720
FGPF30N30 Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
FGPF30N30 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGPF30N30DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2535
FGPF30N30DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2608
FGPF30N30DTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGPF30N30TDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2511
FGPF30N30TDTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGPF30N30TDTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs

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