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FGPF30N30DTU Technische Spezifikationen

IGBT 300V 46W TO220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Part Status Obsolete
Termination Through Hole
Base Part Number FGPF30N30
Power Dissipation 46W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300V
Reverse Recovery Time 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 10A
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 46W
Element Configuration Single
Input Type Standard
Max Collector Current 30A
Collector Emitter Breakdown Voltage 300V
Gate Charge 39nC
Radiation Hardening No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FGPF30N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 9800
FGPF30N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2720
FGPF30N30 Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs
FGPF30N30 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGPF30N30DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2535
FGPF30N30DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2608
FGPF30N30TDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2511
FGPF30N30TDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2733
FGPF30N30TDTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGPF30N30TDTU Rochester Electronics, LLC Einzelne IGBTs

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