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FJV4101RMTF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 4.7k
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) (Ohms) 4.7k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJV4101RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 18260
FJV4101RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV4102RLIMTF FAI Spezialisierte heiße ICs 6484
FJV4102RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 8728
FJV4102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 10353
FJV4102RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV4103RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 357619
FJV4103RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 357619
FJV4103RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJV4103RMTF Rochester Electronics, LLC Vorbelastete BJT-Transistoren

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