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FJV4103RMTF
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FJV4103RMTF Technische Spezifikationen
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Frequency - Transition | 200MHz |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Detailed Description | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
FJV4103RMTF Unterlagen
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Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'FJV41'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
FJV4101RMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 3306 |
FJV4101RMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 18260 |
FJV4101RMTF | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
FJV4102RLIMTF | FAI | Spezialisierte heiße ICs | 6484 |
FJV4102RMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 8728 |
FJV4102RMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 10353 |
FJV4102RMTF | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
FJV4103RMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 357619 |
FJV4103RMTF | ON Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
FJV4103RMTF | Rochester Electronics, LLC | Vorbelastete BJT-Transistoren |
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