FQP10N20CTSTU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 4.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 72W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
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FQP10N20 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 372
FQP10N20C Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 44411
FQP10N20C ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQP10N20C MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 313
FQP10N20CTM FSC Spezialisierte heiße ICs 5346
FQP10N20CTSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2585
FQP10N20L VB Spezialisierte heiße ICs 5000
FQP10N50CF FSC Spezialisierte heiße ICs 2696

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