FQP10N20C Technische Spezifikationen

FQP10N20C datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 8 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Weight 1.8g
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 360mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 72W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360m Ω @ 4.75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 72 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.5A
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Height 9.4mm
Width 4.7mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series QFET®
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 200V
Current Rating 9.5A
Power Dissipation-Max 72W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 11 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A Tc
Rise Time 92ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 70 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Length 10.1mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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FQP10N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1694
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