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MBR30030CT Technische Spezifikationen

DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 650mV @ 150A
Supplier Device Package Twin Tower
Packaging Bulk
Mounting Type Chassis Mount
Diode Configuration 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode) 300A (DC)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 30V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case Twin Tower
Diode Type Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr 8mA @ 20V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MBR300/100CT IGBT Module IGBT-Module 2853
MBR300100 IGBT Module IGBT-Module 2990
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2792
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2715
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2645
MBR300150CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2523
MBR30020 MOTOROLA IGBT-Module 2890
MBR300200CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2508
MBR300200CTR GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2609
MBR30020CT GeneSiC Semiconductor Dioden - Gleichrichter - Arrays 2775

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