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GP1M006A070F Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Global Power Technologies Group
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 700V
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GP1M006A070F Markenhersteller: Global Power Technologies Group, Bonchip Aktie, GP1M006A070F Referenzpreis. GP1M006A070F Parameter, GP1M006A070F Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden GP1M006A070F Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden GP1M006A070F Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, GP1M006A070F Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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