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IXFK90N20 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 380nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXFK90N20Q IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2859
IXFK90N20QS IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2758
IXFK90N30 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2811
IXFK90N60X IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4784
IXFK94N50P2 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4841
IXFK98N50P3 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3555

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