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IXFK98N50P3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 98A TO264

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 8mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™, Polar3™
Power Dissipation (Max) 1300W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 197nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-264AA (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13100pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A (Tc)
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IXFK90N20 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2947
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IXFK90N20QS IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 2758
IXFK90N30 IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2811
IXFK90N60X IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4784
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